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100	1		_aJulián, Pedro, _eautor _95126
245	1	0	_aDispositivos semiconductores: principios y modelos
260			_aBuenos Aires (Argentina): _bAlfaomega Grupo Editor Argentino, _c2013
300			_a262 páginas _c23x17 cm.
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337			_2rdamedia _ano mediado _bn
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500			_aIncluye tablas, cuadros
505	0		_aModelos de circuitos eléctricos.-- Bloques constitutivos de modelos.-- Resistores.-- Capacitores.-- Inductores.-- Memristores.-- Fuentes independientes.-- Fuentes controladas.-- Clasificación de modelos.-- Modelos según la amplitud.-- Modelos según la frecuencia.-- Construcción de modelos.-- Introducción a los semiconductores.-- Bandas de Energía en Silicio.-- Equilibrio Térmico.-- Dopado.-- Dopado Tipo N.-- Dopado Tipo P.-- Compensación.-- Mecanismos de conducción.-- Arrastre Densidad de corriente de arrastre.-- Difusión.-- Densidad de corriente de difusión.-- Resistividad de una lámina de Silicio.-- Potenciales relativos en Silicio.-- Juntura Semiconductora y Diodos.-- Descripción Cualitativa.-- Electroestática de la Juntura.-- Modelo de DC.-- Ley de la Juntura.-- Solución en directa.-- Solución en inversa.-- Desviaciones del comportamiento ideal.-- Efectos de la temperatura.-- Modelo Lineal Incremental.-- Modelo de AC.-- Capacidad en inversa.-- Capacidad en directa.-- Mecanismos de ruptura inversa.-- Efecto túnel.-- Efecto Avalancha.-- Capacitor MOS.-- Descripción Cualitativa.-- Electroestática del capacitor MOS.-- Potencial de Banda Plana.-- Acumulación.-- Vaciamiento.-- Inversión.-- Modelo de AC.-- Otras configuraciones.-- Capacitor MOS sobre un sustrato P y gate P.-- Capacitor MOS sobre un sustrato N y gate N.-- Capacitor MOS sobre un sustrato N y gate P.-- Transistor MOS.-- Descripción cualitativa.-- El transistor NMOS.-- Principio básico de funcionamiento.-- Derivación simplificada.-- Derivación avanzada.-- Modelo referido al Sustrato.-- Modelo referido al source.-- Desviaciones del comportamiento ideal.-- Modulación de la longitud del canal.-- Efectos de la temperatura.-- Corriente subumbral.-- El transistor PMOS.-- Principio básico de funcionamiento.-- Derivación simplificada.-- Derivación avanzada.-- Modelo referido al Sustrato Modelo referido al source.-- Desviaciones del comportamiento ideal.-- Modelo lineal incremental.-- MLI referido al sustrato.-- Zona de triodo.-- Zona de saturación.-- MLI referido al source.-- Zona de triodo.-- Zona de saturación.-- Modelo de AC.-- Capacidad de gate.-- Corte.-- Triodo.-- Saturación Capacidad de junturas.-- Capacidad de solapamiento.-- Límite de validez del modelo de AC.-- Transistores bipolares.-- Descripción cualitativa.-- Modelo de DC del transistor PNP.-- Región de conducción activa directa.-- Región de conducción activa inversa.-- Región de saturación y el Modelo de Ebers-Moll.-- Modelos simplificados.-- Desviaciones del comportamiento ideal.-- Corriente de pérdida.-- Ganancia de corriente.-- Modelo de DC del transistor NPN.-- Región de conducción activa directa.-- Región de conducción activa inversa.-- Región de saturación y el Modelo de Ebers-Moll.-- Modelos Simplificados.-- Modelo Lineal Incremental (MLI).-- El modelo híbrido-pi.-- Modelo de AC.-- Capacidad de vaciamiento.-- Capacidad de carga de la base.-- Límite de validez del modelo de AC.-- Conducción: conceptos auxiliares.-- Tiempo de tránsito.-- Efecto Hall.-- Electroestática.-- Potenciales de contacto.-- Modelos de SPICE.-- Fuentes.-- Fuentes independientes.-- Fuentes dependientes.-- Dispositivos pasivos.-- Resistencias.-- Capacitores.-- Inductores.-- Inductores mutuos.-- Dispositivos semiconductores.-- Diodo.-- Transistores bipolares.-- Transistores MOS.-- Modelo de nivel 1.-- Modelos de niveles 2 y 3.-- Modelo de nivel 4.
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