Detalles MARC
| 000 -CABECERA |
|---|
| Longitud fija campo de control |
08925nam a22003497a 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| Número de control |
1619 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| Identificador del número de control |
EC-UPSE |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN |
|---|
| Fecha y hora de la última transacción |
20231012170232.0 |
| 006 - CÓDIGOS DE INFORMACIÓN DE LONGITUD FIJA - CARACTERÍSTICAS DEL MATERIAL ADICIONAL |
|---|
| Códigos de información de longitud fija - Características del material adicional |
a||||g ||i| 00| 0 |
| 008 - CÓDIGOS DE INFORMACIÓN DE LONGITUD FIJA |
|---|
| Códigos de información de longitud fija |
170712s ec ||||| |||| 00| 0 spa d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL NORMALIZADO PARA LIBROS |
|---|
| Número Internacional Normalizado para Libros (ISBN) |
9786074422924 |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN |
|---|
| Centro catalogador de origen |
UPSE |
| 041 0# - CÓDIGO DE LENGUA |
|---|
| Código de lengua del texto;banda sonora o título independiente |
spa |
| 082 04 - NÚMERO DE LA CLASIFICACIÓN DECIMAL DEWEY |
|---|
| Número de clasificación |
621.381 |
| Cutter |
BOYe |
| 100 1# - PUNTO DE ACCESO PRINCIPAL-NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| Nombre de persona |
Boylestad, Robert L., |
| Término indicativo de función |
autor |
| 9 (RLIN) |
1335 |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO |
|---|
| Título |
Electrónica. Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos |
| 250 ## - MENCIÓN DE EDICIÓN |
|---|
| Mención de edición |
Décima edición |
| 260 ## - PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, ETC. (PIE DE IMPRENTA) |
|---|
| Lugar de publicación, distribución, etc. |
México D. F. (México): |
| Nombre del editor, distribuidor, etc. |
Pearson Educación, |
| Fecha de publicación, distribución, etc. |
2009 |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
|---|
| Extensión |
912 páginas |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO |
|---|
| Fuente |
rdacontent |
| Término de tipo de contenido |
text |
| Código de tipo de contenido |
txt |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO |
|---|
| Fuente |
rdamedia |
| Nombre del tipo de medio |
no mediado |
| Código del tipo de medio |
n |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE |
|---|
| Fuente |
rdacarrier |
| Nombre del tipo de soporte |
volumen |
| Código del tipo de soporte |
nc |
| 500 ## - NOTA GENERAL |
|---|
| Nota general |
Incluye figuras, tablas apéndices e índice |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO |
|---|
| Nota de contenido con formato |
Capítulo 1: Diodos semiconductores.—Materiales semiconductores: Ge, Si y GaAs.—Enlace covalente y materiales intrínsecos.—Niveles de energía.—Materiales extrínsecos: materiales tipo n y tipo p.—Diodo semiconductor.—Lo ideal vs. Lo práctico.—Niveles de resistencia.—Circuitos equivalentes del diodo.—Capacitancias de difusión y transición.—Tiempo de recuperación en inversa.—Hojas de especificaciones de diodos.—Notación para diodos semiconductores.—Prueba de un diodo.—Diodo Zener.—Diodos emisores de luz.—Resumen.—Análisis por computadora.<br/>Capítulo 2: Aplicaciones del diodo.—Análisis por medio de la recta de carga.—Configuraciones de diodos en serie.—Configuraciones de diodos en serie.—Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo.—Compuertas AND/OR.—Entradas senoidales; rectificación de media onda.—Rectificación de onda completa.—Recortadores.—Sujetadores.—Diodos Zener.—Circuitos multiplicadores de voltaje.—Aplicaciones prácticas.<br/>Capítulo 3: Transistores de unión bipolar.—Construcción de un transistor.—Operación del transistor.—Configuración en base común.—Acción amplificadora del transistor.—Configuración en emisor común.—Configuración en colector común.—Límites de operación.—Hojas de especificaciones del transistor.—Prueba de un transistor.—Encapsulado e identificación de las terminales de un transistor.<br/>Capítulo 4: Polarización de cd de los BJT.—Punto de operación.—Configuración de polarización fija.—Configuración de polarización de emisor.—Configuración de polarización por medio del divisor de voltaje.—Configuración de realimentación del colector.—Configuración en emisor-seguidor.—Configurador en base común.—Diversas configuraciones de polarización.—Tabla de resumen.—Operaciones de diseño.—Circuitos de espejo de corriente.—Circuitos de fuente de corriente.—Transistores pnp.—Redes de conmutación con transistores.—Técnicas de solución de fallas.—Estabilización de la polarización.—Aplicaciones prácticas.<br/>Capítulo 5: Análisis de ca de un BJT.—Amplificación en el dominio de ca.- Modelo de un transistor BJT.— Configuración de polarización fija en emisor común.—Polarización por medio del divisor de voltaje.—Configuración de polarización en emisor común.—Configuración en emisor seguidor.—configuración en base común.—configuración de realimentación del colector.—Determinación de la ganancia de corriente.—Tabla de resumen.—Método de los sistemas de dos puertos (bipuertos).—Sistemas de cascada.—Conexión Darlington.—Par de realimentación.—Modelo equivalente híbrido.—Circuitos equivalente híbrido aproximado.—Modelo equivalente híbrido completo.—Variaciones de los parámetros del transistor.—Solución de fallas.<br/>Capítulo 6: Transistores de efecto de campo.—Construcción y características de los JFET.—Características de transferencia.—Hojas de especficaciones (JFET).—Instrumentación.—Relaciones importantes.—MOSFET tipo empobrecimiento.—MOSFET tipo enriquecimiento.—Manejo del MOSFET.—VMOS.—CMOS.—Los MESFET.—Tabla de resumen.<br/>Capítulo 7: Polarización de los FET.—Configuración de polarización fija.—Configuración de autopolarización.—Polarización por medio del divisor de voltaje.—Configuración en compuerta común.—MOSFET tipo empobrecimiento.—MOSFET tipo enriquecimiento.—Tabla de resumen.—Redes combinadas.—Diseño.—Solución de fallas.—Curva de polarización universal del JFET.<br/>Capítulo 8: Amplificadores con FET.—Modelo del JFET de señal pequeña.—Configuración de polarización fija.—Configuración de autopolarización.—Configuración del JFET en compuerta común.—Configuración del JFET en fuente-seguidor (drenaje común).—Los MOSFET tipo empobrecimiento.—Los MOSFET tipo enriquecimiento.—Configuración por realimentación de drenaje del E-MOSFET.—Diseño de redes de amplificación con FET.—Tabla de resumen.—Configuración en cascada.—Solución de fallas.<br/>Capítulo 9: Respuesta en frecuencia de los BJT y los JFET.—Logaritmos.—Decibeles.—Consideraciones generales sobre la frecuencia.—Proceso de normalización.—Análisis en baja frecuencia, gráfica de Bode.—Respuesta en baja frecuencia, amplificador con BJT.—Respuesta en baja frecuencia, amplificador con FET.—Capacitancia de efecto Miller.—Efectos de las frecuencias asociadas a múltiples etapas.—Prueba con una onda cuadrada.<br/>Capítulo 10: Amplificadores operacionales.—Circuito del amplificador diferencial.—Circuitos de los amplificadores diferenciales BiFET, BIMOS y CMOS.—Fundamentos de amplificadores operacionales.—Circuitos prácticos de amplificadores operacionales.—Especificaciones de amplificadores operacionales, parámetros de frecuencia.—Especificación de unidades de amplificadores operacionales.—Operación diferencial y en modo común.<br/>Capítulo 11: Multiplicador de ganancia constante.—Suma de voltajes.—Seguidor de voltaje o amplificador de acoplamiento.—Fuentes controladas.—Circuitos de instrumentación.—Filtros activos.<br/>Capítulo 12: Amplificadores de potencia.—Introducción; definiciones y tipos de amplificador.—Amplificador clase a alimentado en serie.—Amplificador clase a acoplado por transformador.—Operador de un amplificador clase B.—Circuitos del amplificador clase B.—Distorsión de un amplificador.—Disipación de calor de un transistor de potencia.—Amplificadores clase C y clase D.<br/>Capítulo 13: Circuitos integrados analógicos-digitales.—Operación de un comparador.—Convertidores digital a analógico.—Operación de un circuito temporizador.—Oscilador controlado por voltaje.—Malla de enganche de fase.—Circuitos de interfase.<br/>Capítulo 14: Realimentación y circuitos osciladores.—Nociones de realimentación.—Tipos de conexiones de realimentación.—Circuitos realimentados prácticos.—Amplificador realimentado; consideraciones de fase y frecuencia.—Operación de un oscilador.—Oscilador de corrimiento de fase.—Oscilador de puente de Wien.—Circuito oscilador sintonizado.—Oscilador de crsital.—Oscilador de monounión.<br/>Capítulo 15: Fuentes de alimentación (reguladores de voltaje).—Consideraciones generales sobre filtros.—Filtro de capacitor.—Filtro RC.—Regulación de voltaje con transistores discretos.—Reguladores de voltaje de circuito integrado.—Aplicaciones prácticas.-<br/>Capítulo 16: Diodo de barrera Schottky (portadores calientes).—Diodos varactores (Varicap).—Diodos de potencia.—Diodos túnel.—Fotodiodos.—Celdas fotoconductoras.—Emisores infrarrojos.—Pantallas de cristal líquido.—Celdas solares.—Termistores.<br/>Capítulo 17: Dispositivos pnpn y de otros tipos.—Rectificador controlado de silicio.—Operación básica de un rectificador controlado de silicio.—Características y valores nominales del SCR.—Construcción e identificación de las terminales del SCR.—Aplicaciones del SCR.—Interruptor controlado de silicio.—Interruptor de apagado por compuerta.—SCR activado por luz.—Diodo Shockley.—Diac.—Triac.—Transistor de monounión.—Fototransistores.—Aisladores optoelectrónicos.—Transistor de monounión programable.—Resumen.<br/>Apéndice A: Parámetros híbridos: determinación gráfica y ecuaciones de conversión (exactas y aproximadas).—Determinación gráfica de los parámetros h.—Ecuaciones de conversión exactas.—Ecuaciones de conversión aproximadas.—<br/>Apéndice B: Factor de rizo y cálculos de voltaje.—Factor de rizo de un rectificador.—Voltaje de rizo del filtro de capacitor.—Relación que conecta el ángulo de conducción, el porcentaje de rizo, para circuitos de rectificador con filtro de capacitor.<br/> |
| 650 14 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
ELECTRONICA |
| 9 (RLIN) |
12327 |
| 650 24 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
CIRCUITOS ELECTRICOS |
| 9 (RLIN) |
11946 |
| 650 24 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| 9 (RLIN) |
12257 |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
DISPOSITIVOS ELECTROMECANICOS |
| 690 ## - Areas y subareas del conocimiento |
|---|
| Término local o nombre geográfico como elemento de entrada |
Ingenieria, industria y construcción - Ingeniería y profesiones afines |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL - NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| Nombre de persona |
Nashelsky, Louis, |
| Término indicativo de función |
autor |
| 9 (RLIN) |
6958 |
| 700 ## - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL - NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| Nombre de persona |
Cruz Castillo, Luis Miguel |
| Término indicativo de función |
editor |
| 9 (RLIN) |
19326 |
| 942 ## - ENTRADA DE ELEMENTOS AGREGADOS (KOHA) |
|---|
| Fuente de clasificaión o esquema |
Dewey Decimal Classification |
| Koha [por defecto] tipo de item |
Libros |
