Detalles MARC
| 000 -CABECERA |
|---|
| Longitud fija campo de control |
04569nam a22003137a 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| Número de control |
6633 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| Identificador del número de control |
EC-UPSE |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN |
|---|
| Fecha y hora de la última transacción |
20240411103201.0 |
| 006 - CÓDIGOS DE INFORMACIÓN DE LONGITUD FIJA - CARACTERÍSTICAS DEL MATERIAL ADICIONAL |
|---|
| Códigos de información de longitud fija - Características del material adicional |
a||||g ||i| 00| 0 |
| 008 - CÓDIGOS DE INFORMACIÓN DE LONGITUD FIJA |
|---|
| Códigos de información de longitud fija |
170712s ec ||||| |||| 00| 0 spa d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL NORMALIZADO PARA LIBROS |
|---|
| Número Internacional Normalizado para Libros (ISBN) |
9789871609406 |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN |
|---|
| Centro catalogador de origen |
UPSE |
| 041 0# - CÓDIGO DE LENGUA |
|---|
| Código de lengua del texto;banda sonora o título independiente |
spa |
| 082 04 - NÚMERO DE LA CLASIFICACIÓN DECIMAL DEWEY |
|---|
| Número de clasificación |
621.3 |
| Cutter |
JULd |
| 100 1# - PUNTO DE ACCESO PRINCIPAL-NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| Nombre de persona |
Julián, Pedro, |
| Término indicativo de función |
autor |
| 9 (RLIN) |
5126 |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO |
|---|
| Título |
Dispositivos semiconductores: principios y modelos |
| 260 ## - PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, ETC. (PIE DE IMPRENTA) |
|---|
| Lugar de publicación, distribución, etc. |
Buenos Aires (Argentina): |
| Nombre del editor, distribuidor, etc. |
Alfaomega Grupo Editor Argentino, |
| Fecha de publicación, distribución, etc. |
2013 |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
|---|
| Extensión |
262 páginas |
| Dimensiones |
23x17 cm. |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO |
|---|
| Fuente |
rdacontent |
| Término de tipo de contenido |
text |
| Código de tipo de contenido |
txt |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO |
|---|
| Fuente |
rdamedia |
| Nombre del tipo de medio |
no mediado |
| Código del tipo de medio |
n |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE |
|---|
| Fuente |
rdacarrier |
| Nombre del tipo de soporte |
volumen |
| Código del tipo de soporte |
nc |
| 500 ## - NOTA GENERAL |
|---|
| Nota general |
Incluye tablas, cuadros |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO |
|---|
| Nota de contenido con formato |
Modelos de circuitos eléctricos.--<br/>Bloques constitutivos de modelos.-- <br/>Resistores.-- <br/>Capacitores.--<br/>Inductores.--<br/>Memristores.-- <br/>Fuentes independientes.-- <br/>Fuentes controladas.--<br/>Clasificación de modelos.--<br/>Modelos según la amplitud.-- <br/>Modelos según la frecuencia.-- <br/>Construcción de modelos.--<br/>Introducción a los semiconductores.-- <br/>Bandas de Energía en Silicio.-- <br/>Equilibrio Térmico.--<br/>Dopado.-- <br/>Dopado Tipo N.-- <br/>Dopado Tipo P.-- <br/>Compensación.-- <br/>Mecanismos de conducción.-- <br/>Arrastre <br/>Densidad de corriente de arrastre.--<br/>Difusión.-- <br/>Densidad de corriente de difusión.-- <br/>Resistividad de una lámina de Silicio.-- <br/>Potenciales relativos en Silicio.-- <br/>Juntura Semiconductora y Diodos.--<br/>Descripción Cualitativa.-- <br/>Electroestática de la Juntura.-- <br/>Modelo de DC.-- <br/>Ley de la Juntura.-- <br/>Solución en directa.-- <br/>Solución en inversa.-- <br/>Desviaciones del comportamiento ideal.-- <br/>Efectos de la temperatura.-- <br/>Modelo Lineal Incremental.-- <br/>Modelo de AC.--<br/>Capacidad en inversa.--<br/>Capacidad en directa.-- <br/>Mecanismos de ruptura inversa.-- <br/>Efecto túnel.-- <br/>Efecto Avalancha.-- <br/>Capacitor MOS.-- <br/>Descripción Cualitativa.-- <br/>Electroestática del capacitor MOS.-- <br/>Potencial de Banda Plana.--<br/>Acumulación.--<br/>Vaciamiento.--<br/>Inversión.-- <br/>Modelo de AC.-- <br/>Otras configuraciones.-- <br/>Capacitor MOS sobre un sustrato P y gate P.-- <br/>Capacitor MOS sobre un sustrato N y gate N.-- <br/>Capacitor MOS sobre un sustrato N y gate P.--<br/>Transistor MOS.-- <br/>Descripción cualitativa.-- <br/>El transistor NMOS.-- <br/>Principio básico de funcionamiento.-- <br/>Derivación simplificada.-- <br/>Derivación avanzada.-- <br/>Modelo referido al Sustrato.-- <br/>Modelo referido al source.-- <br/>Desviaciones del comportamiento ideal.-- <br/>Modulación de la longitud del canal.-- <br/>Efectos de la temperatura.-- <br/>Corriente subumbral.-- <br/>El transistor PMOS.-- <br/>Principio básico de funcionamiento.-- <br/>Derivación simplificada.-- <br/>Derivación avanzada.-- <br/>Modelo referido al Sustrato Modelo referido al source.-- <br/>Desviaciones del comportamiento ideal.-- <br/>Modelo lineal incremental.-- <br/>MLI referido al sustrato.-- <br/>Zona de triodo.-- <br/>Zona de saturación.-- <br/>MLI referido al source.-- <br/>Zona de triodo.-- <br/>Zona de saturación.-- <br/>Modelo de AC.-- <br/>Capacidad de gate.--<br/>Corte.--<br/>Triodo.-- <br/>Saturación Capacidad de junturas.--<br/>Capacidad de solapamiento.-- <br/>Límite de validez del modelo de AC.-- <br/>Transistores bipolares.-- <br/>Descripción cualitativa.-- <br/>Modelo de DC del transistor PNP.-- <br/>Región de conducción activa directa.-- <br/>Región de conducción activa inversa.-- <br/>Región de saturación y el Modelo de Ebers-Moll.-- <br/>Modelos simplificados.--<br/>Desviaciones del comportamiento ideal.-- <br/>Corriente de pérdida.--<br/>Ganancia de corriente.--<br/>Modelo de DC del transistor NPN.-- <br/>Región de conducción activa directa.-- <br/>Región de conducción activa inversa.-- <br/>Región de saturación y el Modelo de Ebers-Moll.-- <br/>Modelos Simplificados.--<br/>Modelo Lineal Incremental (MLI).-- <br/>El modelo híbrido-pi.-- <br/>Modelo de AC.-- <br/>Capacidad de vaciamiento.-- <br/>Capacidad de carga de la base.-- <br/>Límite de validez del modelo de AC.--<br/>Conducción: conceptos auxiliares.-- <br/>Tiempo de tránsito.-- <br/>Efecto Hall.--<br/>Electroestática.-- <br/>Potenciales de contacto.-- <br/>Modelos de SPICE.--<br/>Fuentes.-- <br/>Fuentes independientes.-- <br/>Fuentes dependientes.-- <br/>Dispositivos pasivos.--<br/>Resistencias.--<br/>Capacitores.--<br/>Inductores.-- <br/>Inductores mutuos.-- <br/>Dispositivos semiconductores.--<br/>Diodo.-- <br/>Transistores bipolares.--<br/>Transistores MOS.-- <br/>Modelo de nivel 1.-- <br/>Modelos de niveles 2 y 3.-- <br/>Modelo de nivel 4.<br/> |
| 650 14 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
CIRCUITOS ELECTRICOS |
| 9 (RLIN) |
11946 |
| 650 24 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
SEMICONDUCTORES |
| 9 (RLIN) |
13472 |
| 690 ## - Areas y subareas del conocimiento |
|---|
| Término local o nombre geográfico como elemento de entrada |
Ingenieria, industria y construcción - Ingeniería y profesiones afines |
| 700 ## - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL - NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| 9 (RLIN) |
19304 |
| Nombre de persona |
Fernández, Damián |
| Término indicativo de función |
editor |
| 942 ## - ENTRADA DE ELEMENTOS AGREGADOS (KOHA) |
|---|
| Fuente de clasificaión o esquema |
Dewey Decimal Classification |
| Koha [por defecto] tipo de item |
Libros |
