Dispositivos semiconductores: principios y modelos

Por:

Julián, Pedro [autor]

Colaborador(es):

Fernández, Damián [editor]

Idioma: Español Detalles de publicación: Buenos Aires (Argentina): Alfaomega Grupo Editor Argentino, 2013Descripción: 262 páginas 23x17 cmTipo de contenido:

text

Tipo de medio:

no mediado

Tipo de soporte:

volumen

ISBN:

9789871609406

Tema(s):

Clasificación CDD:

621.3 JULd

Contenidos:

Modelos de circuitos eléctricos.-- Bloques constitutivos de modelos.-- Resistores.-- Capacitores.-- Inductores.-- Memristores.-- Fuentes independientes.-- Fuentes controladas.-- Clasificación de modelos.-- Modelos según la amplitud.-- Modelos según la frecuencia.-- Construcción de modelos.-- Introducción a los semiconductores.-- Bandas de Energía en Silicio.-- Equilibrio Térmico.-- Dopado.-- Dopado Tipo N.-- Dopado Tipo P.-- Compensación.-- Mecanismos de conducción.-- Arrastre Densidad de corriente de arrastre.-- Difusión.-- Densidad de corriente de difusión.-- Resistividad de una lámina de Silicio.-- Potenciales relativos en Silicio.-- Juntura Semiconductora y Diodos.-- Descripción Cualitativa.-- Electroestática de la Juntura.-- Modelo de DC.-- Ley de la Juntura.-- Solución en directa.-- Solución en inversa.-- Desviaciones del comportamiento ideal.-- Efectos de la temperatura.-- Modelo Lineal Incremental.-- Modelo de AC.-- Capacidad en inversa.-- Capacidad en directa.-- Mecanismos de ruptura inversa.-- Efecto túnel.-- Efecto Avalancha.-- Capacitor MOS.-- Descripción Cualitativa.-- Electroestática del capacitor MOS.-- Potencial de Banda Plana.-- Acumulación.-- Vaciamiento.-- Inversión.-- Modelo de AC.-- Otras configuraciones.-- Capacitor MOS sobre un sustrato P y gate P.-- Capacitor MOS sobre un sustrato N y gate N.-- Capacitor MOS sobre un sustrato N y gate P.-- Transistor MOS.-- Descripción cualitativa.-- El transistor NMOS.-- Principio básico de funcionamiento.-- Derivación simplificada.-- Derivación avanzada.-- Modelo referido al Sustrato.-- Modelo referido al source.-- Desviaciones del comportamiento ideal.-- Modulación de la longitud del canal.-- Efectos de la temperatura.-- Corriente subumbral.-- El transistor PMOS.-- Principio básico de funcionamiento.-- Derivación simplificada.-- Derivación avanzada.-- Modelo referido al Sustrato Modelo referido al source.-- Desviaciones del comportamiento ideal.-- Modelo lineal incremental.-- MLI referido al sustrato.-- Zona de triodo.-- Zona de saturación.-- MLI referido al source.-- Zona de triodo.-- Zona de saturación.-- Modelo de AC.-- Capacidad de gate.-- Corte.-- Triodo.-- Saturación Capacidad de junturas.-- Capacidad de solapamiento.-- Límite de validez del modelo de AC.-- Transistores bipolares.-- Descripción cualitativa.-- Modelo de DC del transistor PNP.-- Región de conducción activa directa.-- Región de conducción activa inversa.-- Región de saturación y el Modelo de Ebers-Moll.-- Modelos simplificados.-- Desviaciones del comportamiento ideal.-- Corriente de pérdida.-- Ganancia de corriente.-- Modelo de DC del transistor NPN.-- Región de conducción activa directa.-- Región de conducción activa inversa.-- Región de saturación y el Modelo de Ebers-Moll.-- Modelos Simplificados.-- Modelo Lineal Incremental (MLI).-- El modelo híbrido-pi.-- Modelo de AC.-- Capacidad de vaciamiento.-- Capacidad de carga de la base.-- Límite de validez del modelo de AC.-- Conducción: conceptos auxiliares.-- Tiempo de tránsito.-- Efecto Hall.-- Electroestática.-- Potenciales de contacto.-- Modelos de SPICE.-- Fuentes.-- Fuentes independientes.-- Fuentes dependientes.-- Dispositivos pasivos.-- Resistencias.-- Capacitores.-- Inductores.-- Inductores mutuos.-- Dispositivos semiconductores.-- Diodo.-- Transistores bipolares.-- Transistores MOS.-- Modelo de nivel 1.-- Modelos de niveles 2 y 3.-- Modelo de nivel 4.

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Tipo de ítem	Biblioteca actual	Colección	Signatura topográfica	Estado	Fecha de vencimiento	Código de barras
Libros	Biblioteca General En biblioteca	Fac de Ciencias de la Educación e Idiomas - Carrera de Informática Educativa	621.3 JULd (Navegar estantería(Abre debajo))	Disponible		BG0018428
Libros	Biblioteca General En biblioteca	Fac de Sistemas y Telecomunicaciones - Carrera de Electrónica y Telecomunicaciones	621.3 JULd (Navegar estantería(Abre debajo))	Disponible		BG0015713

Incluye tablas, cuadros

Modelos de circuitos eléctricos.--
Bloques constitutivos de modelos.--
Resistores.--
Capacitores.--
Inductores.--
Memristores.--
Fuentes independientes.--
Fuentes controladas.--
Clasificación de modelos.--
Modelos según la amplitud.--
Modelos según la frecuencia.--
Construcción de modelos.--
Introducción a los semiconductores.--
Bandas de Energía en Silicio.--
Equilibrio Térmico.--
Dopado.--
Dopado Tipo N.--
Dopado Tipo P.--
Compensación.--
Mecanismos de conducción.--
Arrastre
Densidad de corriente de arrastre.--
Difusión.--
Densidad de corriente de difusión.--
Resistividad de una lámina de Silicio.--
Potenciales relativos en Silicio.--
Juntura Semiconductora y Diodos.--
Descripción Cualitativa.--
Electroestática de la Juntura.--
Modelo de DC.--
Ley de la Juntura.--
Solución en directa.--
Solución en inversa.--
Desviaciones del comportamiento ideal.--
Efectos de la temperatura.--
Modelo Lineal Incremental.--
Modelo de AC.--
Capacidad en inversa.--
Capacidad en directa.--
Mecanismos de ruptura inversa.--
Efecto túnel.--
Efecto Avalancha.--
Capacitor MOS.--
Descripción Cualitativa.--
Electroestática del capacitor MOS.--
Potencial de Banda Plana.--
Acumulación.--
Vaciamiento.--
Inversión.--
Modelo de AC.--
Otras configuraciones.--
Capacitor MOS sobre un sustrato P y gate P.--
Capacitor MOS sobre un sustrato N y gate N.--
Capacitor MOS sobre un sustrato N y gate P.--
Transistor MOS.--
Descripción cualitativa.--
El transistor NMOS.--
Principio básico de funcionamiento.--
Derivación simplificada.--
Derivación avanzada.--
Modelo referido al Sustrato.--
Modelo referido al source.--
Desviaciones del comportamiento ideal.--
Modulación de la longitud del canal.--
Efectos de la temperatura.--
Corriente subumbral.--
El transistor PMOS.--
Principio básico de funcionamiento.--
Derivación simplificada.--
Derivación avanzada.--
Modelo referido al Sustrato Modelo referido al source.--
Desviaciones del comportamiento ideal.--
Modelo lineal incremental.--
MLI referido al sustrato.--
Zona de triodo.--
Zona de saturación.--
MLI referido al source.--
Zona de triodo.--
Zona de saturación.--
Modelo de AC.--
Capacidad de gate.--
Corte.--
Triodo.--
Saturación Capacidad de junturas.--
Capacidad de solapamiento.--
Límite de validez del modelo de AC.--
Transistores bipolares.--
Descripción cualitativa.--
Modelo de DC del transistor PNP.--
Región de conducción activa directa.--
Región de conducción activa inversa.--
Región de saturación y el Modelo de Ebers-Moll.--
Modelos simplificados.--
Desviaciones del comportamiento ideal.--
Corriente de pérdida.--
Ganancia de corriente.--
Modelo de DC del transistor NPN.--
Región de conducción activa directa.--
Región de conducción activa inversa.--
Región de saturación y el Modelo de Ebers-Moll.--
Modelos Simplificados.--
Modelo Lineal Incremental (MLI).--
El modelo híbrido-pi.--
Modelo de AC.--
Capacidad de vaciamiento.--
Capacidad de carga de la base.--
Límite de validez del modelo de AC.--
Conducción: conceptos auxiliares.--
Tiempo de tránsito.--
Efecto Hall.--
Electroestática.--
Potenciales de contacto.--
Modelos de SPICE.--
Fuentes.--
Fuentes independientes.--
Fuentes dependientes.--
Dispositivos pasivos.--
Resistencias.--
Capacitores.--
Inductores.--
Inductores mutuos.--
Dispositivos semiconductores.--
Diodo.--
Transistores bipolares.--
Transistores MOS.--
Modelo de nivel 1.--
Modelos de niveles 2 y 3.--
Modelo de nivel 4.

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