Incluye tablas, cuadros

Modelos de circuitos eléctricos.--
Bloques constitutivos de modelos.--
Resistores.--
Capacitores.--
Inductores.--
Memristores.--
Fuentes independientes.--
Fuentes controladas.--
Clasificación de modelos.--
Modelos según la amplitud.--
Modelos según la frecuencia.--
Construcción de modelos.--
Introducción a los semiconductores.--
Bandas de Energía en Silicio.--
Equilibrio Térmico.--
Dopado.--
Dopado Tipo N.--
Dopado Tipo P.--
Compensación.--
Mecanismos de conducción.--
Arrastre
Densidad de corriente de arrastre.--
Difusión.--
Densidad de corriente de difusión.--
Resistividad de una lámina de Silicio.--
Potenciales relativos en Silicio.--
Juntura Semiconductora y Diodos.--
Descripción Cualitativa.--
Electroestática de la Juntura.--
Modelo de DC.--
Ley de la Juntura.--
Solución en directa.--
Solución en inversa.--
Desviaciones del comportamiento ideal.--
Efectos de la temperatura.--
Modelo Lineal Incremental.--
Modelo de AC.--
Capacidad en inversa.--
Capacidad en directa.--
Mecanismos de ruptura inversa.--
Efecto túnel.--
Efecto Avalancha.--
Capacitor MOS.--
Descripción Cualitativa.--
Electroestática del capacitor MOS.--
Potencial de Banda Plana.--
Acumulación.--
Vaciamiento.--
Inversión.--
Modelo de AC.--
Otras configuraciones.--
Capacitor MOS sobre un sustrato P y gate P.--
Capacitor MOS sobre un sustrato N y gate N.--
Capacitor MOS sobre un sustrato N y gate P.--
Transistor MOS.--
Descripción cualitativa.--
El transistor NMOS.--
Principio básico de funcionamiento.--
Derivación simplificada.--
Derivación avanzada.--
Modelo referido al Sustrato.--
Modelo referido al source.--
Desviaciones del comportamiento ideal.--
Modulación de la longitud del canal.--
Efectos de la temperatura.--
Corriente subumbral.--
El transistor PMOS.--
Principio básico de funcionamiento.--
Derivación simplificada.--
Derivación avanzada.--
Modelo referido al Sustrato Modelo referido al source.--
Desviaciones del comportamiento ideal.--
Modelo lineal incremental.--
MLI referido al sustrato.--
Zona de triodo.--
Zona de saturación.--
MLI referido al source.--
Zona de triodo.--
Zona de saturación.--
Modelo de AC.--
Capacidad de gate.--
Corte.--
Triodo.--
Saturación Capacidad de junturas.--
Capacidad de solapamiento.--
Límite de validez del modelo de AC.--
Transistores bipolares.--
Descripción cualitativa.--
Modelo de DC del transistor PNP.--
Región de conducción activa directa.--
Región de conducción activa inversa.--
Región de saturación y el Modelo de Ebers-Moll.--
Modelos simplificados.--
Desviaciones del comportamiento ideal.--
Corriente de pérdida.--
Ganancia de corriente.--
Modelo de DC del transistor NPN.--
Región de conducción activa directa.--
Región de conducción activa inversa.--
Región de saturación y el Modelo de Ebers-Moll.--
Modelos Simplificados.--
Modelo Lineal Incremental (MLI).--
El modelo híbrido-pi.--
Modelo de AC.--
Capacidad de vaciamiento.--
Capacidad de carga de la base.--
Límite de validez del modelo de AC.--
Conducción: conceptos auxiliares.--
Tiempo de tránsito.--
Efecto Hall.--
Electroestática.--
Potenciales de contacto.--
Modelos de SPICE.--
Fuentes.--
Fuentes independientes.--
Fuentes dependientes.--
Dispositivos pasivos.--
Resistencias.--
Capacitores.--
Inductores.--
Inductores mutuos.--
Dispositivos semiconductores.--
Diodo.--
Transistores bipolares.--
Transistores MOS.--
Modelo de nivel 1.--
Modelos de niveles 2 y 3.--
Modelo de nivel 4.