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Electrónica I. Teoría y solucionario de problemas

Por: Herrera, Efrén [autor].
Colaborador(es): Plaza, Douglas [autor] | Ríos, Sara [autor] | Vásquez, Fernando [autor] | Yapur, Miguel [autor].
Editor: Guayaquil (Ecuador): Escuela Superior Politécnica del Litoral. ESPOL, 2006Descripción: 201 páginas.Tipo de contenido: text Tipo de medio: no mediado Tipo de portador: volumenISBN: 9978310274.Tema(s): ELECTRONICA DIGITAL | CIRCUITOS ELECTRICOS | ELECTRONICA | Ingenieria, industria y construcción - Ingeniería y profesiones afinesClasificación CDD: 621.381
Contenidos:
Primera Sección: Teoría. Capítulo 1. Diodos semiconductores.— Características generales del material semiconductor Estructura cristalina.—Materiales intrínsecos.—Niveles y bandas de energía.—Materiales extrínsecos: tipo n y tipo p.—Diodo ideal.—Construcción básica y características del diodo.—Diodo sin polarización aplicada.—Diodo polarizado inversamente.—Diodo polarizado directamente.—Características del diodo semiconductor.—Velocidad de conmutación de un diodo – tiempo inverso de recuperación.—Capacitancias de transición y de difusión.—Efecto de la temperatura.—Niveles de resistencia.—Resistencia en DC o estática.—Resistencia en AC o dinámica.—Resistencia en AC promedio.—Circuitos equivalentes para diodos.—Diodo Zener.—Diodos emisores de luz.—Display de 7 segmentos.—Análisis mediante la recta de carga.—Configuraciones serie y paralelo de diodos.—Señal AC pequeña. Capítulo 2. Rectificadores y filtros capacitivos.—Rectificador de media onda.—Rectificadores de media onda.—Rectificadores de onda completa.—Filtros.—Consideraciones de potencia.—Curva de degradación de potencia. Capítulo 3. Transistor BJT.—En principio es similar a dos diodos.—Configuraciones.—Características de los transistores.—Construcciones de transistores.—Operación del transistor.—Transistor de potencia.—Regiones de operación del transistor.—Configuración base – común.—Configuración emisor – común.—Polarización DC para transistores en configuración base común.—Segundo método: Gráfico.—Polarización DC para transistores en configuración emisor común.—Circuito estabilizado en emisor.—Circuito estabilizado en emisor.—Circuito de polarización independiente de B. Capítulo 4. Polarización de los transistores de efecto de campo (FETs).—Operación del JFET.—Dispositivos de canal “P”.—Circuitos de polarización para JFET canal “n”.—Polarización fija de los JFET.—Auto polarización de los JFET.—Polarización por divisor de voltaje.—Operación del MOSFET de agotamiento.—MOSFET de agotamiento.—Circuitos de polarización para MOSFET de agotamiento canal “n”.—Auto polarización.—Polarización por divisor de voltaje.—MOSFET de agotamiento canal “p”.—MOSFET de enriquecimiento.—Operación del MOSFET de enriquecimiento.—Polarización fija.—Polarización fija.—Polarización por realimentación de drenaje. Capítulo 5. Amplificadores con transistores: Modelos de pequeña señal.—Capacitores de acoplamiento y de paso.—Circuitos equivalente AC y DC.—Circuito equivalente AC del transistor basado en parámetros híbridos.—Teoría sobre redes de dos puertos.—Obtención de los parámetros híbridos.—Análisis AC del transistor.—Ganancia de corriente (Ai).—Ganancia de voltaje (Av).—Impedancia de entrada (Zi).—Impedancia de salida (Zo).—Ganancia de potencia (Ap).—Relación de fase.—Simplificación del circuito híbrido equivalente.—Circuitos equivalentes aproximados de base, emisor, colector.—Circuito equivalente de base.—Circuito equivalente de emisor.— Circuitos equivalente de colector.—Transformación de parámetros híbridos.—Circuito equivalente del transistor hecho a base de condiciones DC de operación.—Análisis de pequeña señal en los transistores de efecto de campo FETs.—Modelo de pequeña señal para transistores MOSFET.—Circuito amplificador con realimentación de colector.—Teorema de Miller.—Amplificadores multietapa.—Método Silva.—Circuito con FET con resistencia Miller entre drenador y puerta.—Ganancia en circuito con resistencia Miller entre surtidor y puerta. Segunda Sección. Ejercicios. Capítulo 6. Problemas resueltos.—Problema 1: Función de transferencia.-- Problema 2: Diodos en DC y AC y cálculo de disipadores.—Problema 3: Cálculo de puntos de operación.—Problema 4: Diseño de una fuente de poder no regulada.—Problema 5. Diodos en DC y AC y gráficos de voltajes.-- Problema 6: Función de transferencia.-- Problema 7: Cálculo de potencia disipada y de disipadores.-- Problema 8: Diseño de una fuente de poder no regulada. Problema 9: Función de transferencia.—Problema 10. Cálculo de punto de operación, potencia y de disipador.-- Problema 11: Cálculo de punto de operación y de disipadores.-- Problema 12: Multiplicador de voltaje.—Problema 13: Función de transferencia.—Problema 14: Diseño de una fuente de poder no regulada.—Problema 15.—Cálculo de la potencia disipada y de disipador.—Diodos en DC y AC y cálculo de disipadores.—Diseño de una fuente de poder no regulada.—Función de transferencia.—Diodos en DC y AC y cálculo de disipadores.—Transistor en DC y AC y gráfico de voltaje.—Amplificadores multietapa CON JFET y BJT, cálculo de Av Zi y Zo.—Diseño de una fuente de voltaje regulada con Darlington.—Amplificadores multietapa con MOSFET y BJT.—Puntos de operación en corte y saturación.—Amplificadores multietapa con JFET y BJT.—Cálculo de puntos de operación.—Cálculo de Av y Zo en un circuito multietapa usando Miller.—Análisis de una fuente regulada y cálculo de potencia.—Puntos de operación de BJT y FET.—Cálculo de puntos de operación de BJT y FET.—Cálculo de Av y Zo en un circuito multietapa usando Miller.—Cálculo de Av, Ai, Zo y Zi en un circuito multietapa.—Transistores en DC y cálculo de potencia.—Cálculo de puntos de operación en circuito usando BJTs.—Cálculo de punto de operación de diodo y transistor.—Fuente regulable variable con BJT y Darlignton.
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Libros Libros Biblioteca General
Fac de Sistemas y Telecomunicaciones - Carrera de Electrónica y Telecomunicaciones 621.381 HERe (Navegar estantería) Disponible
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Incluye tablas, figuras

Primera Sección: Teoría.
Capítulo 1. Diodos semiconductores.— Características generales del material semiconductor Estructura cristalina.—Materiales intrínsecos.—Niveles y bandas de energía.—Materiales extrínsecos: tipo n y tipo p.—Diodo ideal.—Construcción básica y características del diodo.—Diodo sin polarización aplicada.—Diodo polarizado inversamente.—Diodo polarizado directamente.—Características del diodo semiconductor.—Velocidad de conmutación de un diodo – tiempo inverso de recuperación.—Capacitancias de transición y de difusión.—Efecto de la temperatura.—Niveles de resistencia.—Resistencia en DC o estática.—Resistencia en AC o dinámica.—Resistencia en AC promedio.—Circuitos equivalentes para diodos.—Diodo Zener.—Diodos emisores de luz.—Display de 7 segmentos.—Análisis mediante la recta de carga.—Configuraciones serie y paralelo de diodos.—Señal AC pequeña.
Capítulo 2. Rectificadores y filtros capacitivos.—Rectificador de media onda.—Rectificadores de media onda.—Rectificadores de onda completa.—Filtros.—Consideraciones de potencia.—Curva de degradación de potencia.
Capítulo 3. Transistor BJT.—En principio es similar a dos diodos.—Configuraciones.—Características de los transistores.—Construcciones de transistores.—Operación del transistor.—Transistor de potencia.—Regiones de operación del transistor.—Configuración base – común.—Configuración emisor – común.—Polarización DC para transistores en configuración base común.—Segundo método: Gráfico.—Polarización DC para transistores en configuración emisor común.—Circuito estabilizado en emisor.—Circuito estabilizado en emisor.—Circuito de polarización independiente de B.
Capítulo 4. Polarización de los transistores de efecto de campo (FETs).—Operación del JFET.—Dispositivos de canal “P”.—Circuitos de polarización para JFET canal “n”.—Polarización fija de los JFET.—Auto polarización de los JFET.—Polarización por divisor de voltaje.—Operación del MOSFET de agotamiento.—MOSFET de agotamiento.—Circuitos de polarización para MOSFET de agotamiento canal “n”.—Auto polarización.—Polarización por divisor de voltaje.—MOSFET de agotamiento canal “p”.—MOSFET de enriquecimiento.—Operación del MOSFET de enriquecimiento.—Polarización fija.—Polarización fija.—Polarización por realimentación de drenaje.
Capítulo 5. Amplificadores con transistores: Modelos de pequeña señal.—Capacitores de acoplamiento y de paso.—Circuitos equivalente AC y DC.—Circuito equivalente AC del transistor basado en parámetros híbridos.—Teoría sobre redes de dos puertos.—Obtención de los parámetros híbridos.—Análisis AC del transistor.—Ganancia de corriente (Ai).—Ganancia de voltaje (Av).—Impedancia de entrada (Zi).—Impedancia de salida (Zo).—Ganancia de potencia (Ap).—Relación de fase.—Simplificación del circuito híbrido equivalente.—Circuitos equivalentes aproximados de base, emisor, colector.—Circuito equivalente de base.—Circuito equivalente de emisor.— Circuitos equivalente de colector.—Transformación de parámetros híbridos.—Circuito equivalente del transistor hecho a base de condiciones DC de operación.—Análisis de pequeña señal en los transistores de efecto de campo FETs.—Modelo de pequeña señal para transistores MOSFET.—Circuito amplificador con realimentación de colector.—Teorema de Miller.—Amplificadores multietapa.—Método Silva.—Circuito con FET con resistencia Miller entre drenador y puerta.—Ganancia en circuito con resistencia Miller entre surtidor y puerta.
Segunda Sección. Ejercicios.
Capítulo 6. Problemas resueltos.—Problema 1: Función de transferencia.-- Problema 2: Diodos en DC y AC y cálculo de disipadores.—Problema 3: Cálculo de puntos de operación.—Problema 4: Diseño de una fuente de poder no regulada.—Problema 5. Diodos en DC y AC y gráficos de voltajes.-- Problema 6: Función de transferencia.-- Problema 7: Cálculo de potencia disipada y de disipadores.-- Problema 8: Diseño de una fuente de poder no regulada. Problema 9: Función de transferencia.—Problema 10. Cálculo de punto de operación, potencia y de disipador.-- Problema 11: Cálculo de punto de operación y de disipadores.-- Problema 12: Multiplicador de voltaje.—Problema 13: Función de transferencia.—Problema 14: Diseño de una fuente de poder no regulada.—Problema 15.—Cálculo de la potencia disipada y de disipador.—Diodos en DC y AC y cálculo de disipadores.—Diseño de una fuente de poder no regulada.—Función de transferencia.—Diodos en DC y AC y cálculo de disipadores.—Transistor en DC y AC y gráfico de voltaje.—Amplificadores multietapa CON JFET y BJT, cálculo de Av Zi y Zo.—Diseño de una fuente de voltaje regulada con Darlington.—Amplificadores multietapa con MOSFET y BJT.—Puntos de operación en corte y saturación.—Amplificadores multietapa con JFET y BJT.—Cálculo de puntos de operación.—Cálculo de Av y Zo en un circuito multietapa usando Miller.—Análisis de una fuente regulada y cálculo de potencia.—Puntos de operación de BJT y FET.—Cálculo de puntos de operación de BJT y FET.—Cálculo de Av y Zo en un circuito multietapa usando Miller.—Cálculo de Av, Ai, Zo y Zi en un circuito multietapa.—Transistores en DC y cálculo de potencia.—Cálculo de puntos de operación en circuito usando BJTs.—Cálculo de punto de operación de diodo y transistor.—Fuente regulable variable con BJT y Darlignton.

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